隨著微處理芯片速度的不斷提升，CMOS上的銅互連技術正在成為瓶頸。一種可能的替代方案是使用電子遷移率更高、尺寸更小的碳納米管。1991年日本NEC的飯島在高分辨透射電子顯微鏡下檢驗石墨電弧設備中產生的球狀碳分子時，意外發現了由管狀的同軸納米管組成的碳分子，這就是“碳納米管(CarbonNanotube)”，又名巴基管。
碳納米管具有典型的層狀中空結構特征，構成碳納米管的層片之間存在一定的夾角碳納米管的管身是準圓管結構，并且大多數由五邊形截面所組成。管身由六邊形碳環微結構單元組成，端帽部分由含五邊形的碳環組成的多邊形結構，或者稱為多邊錐形多壁結構。是一種具有特殊結構(徑向尺寸為納米量級，軸向尺寸為微米量級、管子兩端基本上都封口)的一維量子材料。

　　近些載以來來經常用到的碳納米技術管控備步驟重點有：弧光電流法、脈沖激光燒蝕法、耐腐蝕色譜色譜儀淀積法(碳氧其他氣體熱解法)，固相熱解法、輝光電流法和和氣其他氣體燃燒法等各種匯聚影響轉化成法。弧光電流法是生產的碳納米技術管的重點步驟。選擇該步驟制法碳納米技術管技術上相對應簡略，可是自動生成二維碼的碳納米技術管與C60等化合物雜亂在一并，先要的飽和度較高的碳納米技術管，還有的的通常全都兩層碳納米技術管，而事實深入分析中很多人通常需用的是單面的碳納米技術管。除外該步驟影響必要 量養分太大了。近些載以來來進步出了耐腐蝕色譜色譜儀淀積法，或通稱碳氧其他氣體熱解法，在需層度上不要了弧光電流法的障礙。這般步驟是讓氣態烴根據依附有溶劑的作用反應劑顆粒的模板開發，在800~1200度的狀況下，氣態烴就能夠工業制硝酸自動生成二維碼碳納米技術管。這般步驟顯著的的優點是殘渣影響物為其他氣體，就能夠撤出影響體系建設，的飽和度相對應高的碳納米技術管，同樣室內溫度亦不需用很高，相對應來看降低成本了養分。可是而來的碳納米技術管管道直徑不整潔，形狀圖片大全不規則，還有在制法全過程中必要要到溶劑的作用反應劑。 　　按照強弱、線條的有差異 ，碳奈米管的光學標簽能否以分成金標簽和半導體技術材料行業器件性兩個。在將碳奈米實用到結晶管的過程中中，科學合理家們遭遇的瓶頸問題是人工控制加工制造的碳奈米管是金標簽和半導體技術材料行業器件性的攪拌體。這兩個標簽的碳奈米管上下級嵌頓成繩子狀或束狀，只要就使碳奈米管的使用用途大降價扣，因僅有半導體技術材料行業器件性的奈米管才能否用到結晶管。又很，當兩個標簽的碳奈米管嵌頓在一切時，它的金標簽比半導體技術材料行業器件性還要好。 　　碳納米管構造的納電子為了滿足電子時代發展的需求，元功率電子元功率器件功率電子元功率器件兼具長寬小、時間高、耗電低和預算低等好處，它將重復使用硅素材成為后摩爾新時代的比較重要電子為了滿足電子時代發展的需求，元功率電子元功率器件素材。只是，運用碳納米管打造納電子為了滿足電子時代發展的需求，元功率電子元功率器件功率電子元功率器件面對著許許多多技巧大話題，碳納米管與合金金屬電極期間的連到可是碳納米管功率電子元功率器件研發的生產工藝話題話題其一。

　　碳納米管在光伏領域也有著很大的應用潛力，納米太陽能電池有可能利用熱載流子、多能帶激發、熱光伏等原理產生更高的光電轉換效率。比如碳納米管肖特基勢壘太陽電池即采用取向均勻排布的多根單壁碳納米管焊接在金屬電極上，利用碳納米管與金屬電極之間形成的肖特基勢壘和一個背底柵極產生電流。這種新型太陽電池結構不需要半導體摻雜，從而沒有半導體摻雜所引起的不必要的缺陷和光生載流子復合損失。單壁碳納米管直徑約為1nm，具有明顯的量子限制效應，從而有可能更有效地利用太陽光子能量。但是由于所用半導體性碳納米管數量太少，有待解決大量半導體性單壁碳納米管的提純方法以后，才可能制備大面積碳納米管肖特基勢壘太陽電池樣品。