隨著微處理芯片速度的不斷提升，CMOS上的銅互連技術正在成為瓶頸。一種可能的替代方案是使用電子遷移率更高、尺寸更小的碳納米管。1991年日本NEC的飯島在高分辨透射電子顯微鏡下檢驗石墨電弧設備中產生的球狀碳分子時，意外發現了由管狀的同軸納米管組成的碳分子，這就是“碳納米管(CarbonNanotube)”，又名巴基管。
碳納米管具有典型的層狀中空結構特征，構成碳納米管的層片之間存在一定的夾角碳納米管的管身是準圓管結構，并且大多數由五邊形截面所組成。管身由六邊形碳環微結構單元組成，端帽部分由含五邊形的碳環組成的多邊形結構，或者稱為多邊錐形多壁結構。是一種具有特殊結構(徑向尺寸為納米量級，軸向尺寸為微米量級、管子兩端基本上都封口)的一維量子材料。

　　現階段可用的碳納米管理備手段基本有：電孤尖端充發出電尖端充發出電法、激光手術燒蝕法、物理物質氣相色譜儀色譜儀淀積法(碳氮混合氣體熱解法)，固相熱解法、輝光尖端充發出電法主混合氣體揮發法等相應聚合物表現鑲嵌法。電孤尖端充發出電尖端充發出電法是分娩碳納米管的基本手段。的使用某些手段制取碳納米管技術上特別簡易，不過轉化成的碳納米管與C60等物品相互影響在一件，非常難達到飽和度較高的碳納米管，還有就是達到的通常會都要雙層以上碳納米管，而現場研究探討中我們通常會需求的是單雙層的碳納米管。不僅如此該手段表現花費力量太高。近幾年里來快速發展出了物理物質氣相色譜儀色譜儀淀積法，或譽為碳氮混合氣體熱解法，在特定水平上避免了電孤尖端充發出電尖端充發出電法的常見問題。這手段是讓氣態烴使用粘著有離子液體劑水分子的摸板，在800~1200度的能力下，氣態烴不錯拆解轉化成碳納米管。這手段突顯的優勢是殘余物表現物為混合氣體，不錯選擇離開表現管理體系，達到飽和度特別高的碳納米管，直接溫暖亦不需求很高，比較衡量合理安排了力量。不過制取的碳納米管通徑不雜亂，的形狀不的規則，還有就是在制取時中不得不要配到離子液體劑。 　　按照其各個、形壯的不相同，碳微米級技術技術管的微電子附特性會分金附特性和半導芯片行業性兩個。在將碳微米級技術技術有效作硫化鋅管的時候中，科學性家們遭遇的瓶頸是人為制做的碳微米級技術技術管是金附特性和半導芯片行業性的混后體。這兩個附特性的碳微米級技術技術管能夠 嵌頓成繩子狀或束狀，其實就使碳微米級技術技術管的使用大減價扣，因此也只有半導芯片行業性的微米級技術技術管才會用于硫化鋅管。而，當兩個附特性的碳微米級技術技術管嵌頓在我們一起時，它的金附特性比半導芯片行業性還自私自利。 　　碳微米管定義的納手機光電無線元元配件封裝具有著盡寸小、時速高、功能損耗低和報價低等優點，它將改用硅用料成為后摩爾世代的關鍵手機用料。可是，充分利用碳微米管打造納手機光電無線元元配件封裝要面對著大多數技術應用困難，碳微米管與鋁合金電極材料區間內的銜接那就是碳微米管光電無線元元配件封裝制作業的工藝技術薄弱環節一些問題之四。

　　碳納米管在光伏領域也有著很大的應用潛力，納米太陽能電池有可能利用熱載流子、多能帶激發、熱光伏等原理產生更高的光電轉換效率。比如碳納米管肖特基勢壘太陽電池即采用取向均勻排布的多根單壁碳納米管焊接在金屬電極上，利用碳納米管與金屬電極之間形成的肖特基勢壘和一個背底柵極產生電流。這種新型太陽電池結構不需要半導體摻雜，從而沒有半導體摻雜所引起的不必要的缺陷和光生載流子復合損失。單壁碳納米管直徑約為1nm，具有明顯的量子限制效應，從而有可能更有效地利用太陽光子能量。但是由于所用半導體性碳納米管數量太少，有待解決大量半導體性單壁碳納米管的提純方法以后，才可能制備大面積碳納米管肖特基勢壘太陽電池樣品。