[經典導讀] 自從NEC研究人員飯島澄男（Sumio Iijima ）在1991年首度發現碳奈米管（CNT）后，這方面的研究一直持續進展。他形容碳奈米管是繼石墨稀、鉆石以及富勒烯（fullerenes；巴克球 Buckyballs）之后碳的第四種形式。基本上，碳奈米管可視為卷成管狀的石墨烯原子薄層，并穩定維持1.2nm的直徑。

碳奈米管致使在環境溫度下的電滲透率已經超過每秒100，000-cm2//V，比規范矽晶片每稍1，400-cm2//V的電滲透快點70倍，從而基本上立即就能知道快速可用于結合在一起矽電納米線中的管道。 探討相關人員視圖選擇一些有差異的做法在矽電單晶體的源極與汲極上布置教室即時制成的碳奈米管，此外是在源極與汲極頂部置于晶種，使其不斷地在確定地方對其進行生張。從2002-2009年，全球排名各市區的科學試驗室不斷地一些勇于嘗試，但仍不可取得勝利置于預制混凝土的碳奈米管。

　　

美利堅喬冶亞理工學校學校理論研究生后理論研究人員Wenzhuo Wu（左）與傳授王中林傳授（右）展示會高透光、可耐折與拉伸彈簧、極輕且基本上透明體的MoS2電容式半導體原料，就是種快速可用于替代矽的驚奇原料。 碳奈米管容易以機器習慣加工，但期待的是些許是五金不以半導體設備——基于其偏光性——使其要找自己本身方案，移除應該形成電晶胞引發洛天依的五金型號。現有現在已經成功失敗開發管理出2種方案了，本身是盡早使用區分，另本身則是在釋放油田脈寬后損毀五金。

　　

史丹佛綜合大學風采展示的3D晶片以標淮過孔策略接觸4層電源線路，最社會底層是標淮CMOS，最高層是碳奈米管邏輯學電晶狀體，中心2側壁是RRAM 如若這一情況解決方法步驟了，和末尾一情況是怎么樣把它們安排在理想的的位子，就好像在矽晶底材上的區域這樣。研發工作員們一開始只要重復擺放在，但效益太大，知道2011年，IBM成功創業發表過那種在源極與汲極放入碳奈米管的自緊貼方法步驟。

　　

　　下圖屏幕上顯示享有一邊鍵合大電流繼電器的碳奈米管電硫化鋅，其大電流繼電器間距底于10nm

　　

　　阻隔式光電子光學顯微鏡（TEM）影響橫受力體現 存在一邊鍵合接觸點的碳奈米管電單晶體 納米材料材料探討人向來從未選擇離開愿意——情況上，濰坊設備（Texas Instruments）到現在要能產生晶圓級納米材料材料了；不僅如此，基于Lux Research的的資料，國當今正為核心環球納米材料材料和奈米管了的加工。 Lux Research闡述師Zhun Ma體現了：“我們大碳奈米管供給商積攢的涉及的生產能力現已也能滿意202020年此前所實際的世界行業市場所需量了。”但在16年，哪一極大所需將超越我們大所取供給的的生產能力，因為，這時2016之因此 會是碳奈米管電單晶體年的同一個借口。