貨品代號:TNST

TNST 技術數據 (下載)

          
產品描述:
TimetubeTM ---超高純單壁碳納米管---超高純單壁碳納米管（TNST）是先利用甲烷經鈷催化劑催化裂解，然后在空氣中氧化制備得到的。此類產品幾乎不含無定形碳。TNST具有高的燃點，起燃溫度可達620°C，可應用于透明導電薄膜及其它科研和工業領域。利用TNST制備的透明導電薄膜片電阻不低于200ohm/sq，透光率不低于80%。
TNST 是制備碳納米管透明導電薄膜的一種優良原材料。制備得到的透明導電薄膜可廣泛應用于觸摸屏、平板顯示器、液晶顯示器及太陽能電池領域。與傳統的銦錫氧化物鍍膜相比，碳納米管透明導電薄膜具有以下明顯優勢：
                   1. 長時間使用，具有穩定的機械性能
                   2. 具有寬的透光譜帶
                   3. 在不損失薄膜均勻性的前提下，具有較高的片電阻
                   4. 成本低廉
Timesnano 能夠提供1-500gram 包裝規格的超高純單壁碳納米管（TNST）。
 

類別	的單位	很高純單壁碳nm管（電信促使）	定性分析措施
		TNST
OD	nm	<2	HRTEM,Raman
飽和度（Purity）	wt%	>95	TGA & TEM
段長度（Length）	microns	5-30	TEM
SSA	m2/g	>490	BET
灰分（ASH）	wt%	<5	HRTEM,TGA
著火點	℃	610	TPO
Ig/Id	--	>20	Raman
OD=外徑(Outer Diameter)          SSA=比面上積(Specific Surface Area)

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